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体兴办(上海)股份有限公司发表通过持续擢升反映台之间气体局限的精度,ICP双反映台刻蚀机Primo Twin-Star®又赢得新的打破,反映台之间的刻蚀精度已抵达0.2A(亚埃级)。这一刻蚀精度正在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均获得了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的特别之一,是人类头发丝均匀直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀手艺范围的又一次更始打破。